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深圳市腾顺致远电子科技有限公司
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产品信息
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| 类别 | 分立半导体产品 |
| 晶体管 | |
| FET，MOSFET | |
| FET、MOSFET 阵列 | |
| 制造商 | Texas Instruments |
| 系列 | NexFET? |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 剪切带（CT） | |
| Product Status | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻 | 16.3 毫欧 @ 8A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th) | 1.9V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) | 5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss) | 564pF @ 15V |
| 功率 - | 4W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 5-LGA |
| 供应商器件封装 | 5-PTAB（3x2.5） |
| 基本产品编号 | CSD87381 |